Tăng trưởng wafer epiticular Gallium Nitride (GaN) là một quá trình phức tạp, thường sử dụng phương pháp hai bước. Phương pháp này bao gồm một số giai đoạn quan trọng, bao gồm nướng ở nhiệt độ cao, tăng trưởng lớp đệm, kết tinh lại và ủ. Bằng cách kiểm soát nhiệt độ một cách tỉ mỉ trong suốt các gia......
Đọc thêmCả tấm wafer epiticular và tấm khuếch tán đều là vật liệu thiết yếu trong sản xuất chất bán dẫn, nhưng chúng khác nhau đáng kể về quy trình chế tạo và ứng dụng mục tiêu. Bài viết này đi sâu vào sự khác biệt chính giữa các loại wafer này.
Đọc thêmKhắc là một quá trình thiết yếu trong sản xuất chất bán dẫn. Quá trình này có thể được chia thành hai loại: khắc khô và khắc ướt. Mỗi kỹ thuật đều có những ưu điểm và hạn chế riêng, điều quan trọng là phải hiểu được sự khác biệt giữa chúng. Vậy làm thế nào để chọn được phương pháp khắc tốt nhất? Nhữ......
Đọc thêmGốm silicon cacbua mang lại nhiều lợi thế trong ngành sợi quang, bao gồm độ ổn định nhiệt độ cao, hệ số giãn nở nhiệt thấp, ngưỡng tổn thất và hư hỏng thấp, độ bền cơ học, khả năng chống ăn mòn, độ dẫn nhiệt tốt và hằng số điện môi thấp. Những đặc tính này làm cho gốm SiC trở thành vật liệu lý tưởng......
Đọc thêmLịch sử của cacbua silic (SiC) bắt đầu từ năm 1891, khi Edward Goodrich Acheson tình cờ phát hiện ra nó khi đang cố gắng tổng hợp kim cương nhân tạo. Acheson đun nóng hỗn hợp đất sét (aluminosilicate) và than cốc dạng bột (carbon) trong lò điện. Thay vì những viên kim cương như mong đợi, anh ta thu ......
Đọc thêm