Quá trình tăng trưởng silicon đơn tinh thể chủ yếu xảy ra trong trường nhiệt, trong đó chất lượng của môi trường nhiệt ảnh hưởng đáng kể đến chất lượng tinh thể và hiệu quả tăng trưởng. Thiết kế của trường nhiệt đóng vai trò then chốt trong việc định hình gradient nhiệt độ và động lực dòng khí trong......
Đọc thêmCacbua silic (SiC) là vật liệu sở hữu năng lượng liên kết cao, tương tự như các vật liệu cứng khác như kim cương và boron nitrit khối. Tuy nhiên, năng lượng liên kết cao của SiC gây khó khăn cho việc kết tinh trực tiếp thành thỏi thông qua các phương pháp nấu chảy truyền thống. Do đó, quá trình phát......
Đọc thêmNgành công nghiệp cacbua silic bao gồm một chuỗi các quy trình bao gồm tạo chất nền, tăng trưởng epiticular, thiết kế thiết bị, sản xuất thiết bị, đóng gói và thử nghiệm. Nói chung, cacbua silic được tạo ra dưới dạng thỏi, sau đó được cắt lát, nghiền và đánh bóng để tạo ra chất nền cacbua silic.
Đọc thêmVật liệu bán dẫn có thể được chia thành ba thế hệ theo trình tự thời gian. Thế hệ đầu tiên của germanium, silicon và các vật liệu đơn chất phổ biến khác, được đặc trưng bởi sự chuyển đổi thuận tiện, thường được sử dụng trong các mạch tích hợp. Thế hệ thứ hai của gallium arsenide, indium phosphide và......
Đọc thêmCacbua silic (SiC) có các ứng dụng quan trọng trong các lĩnh vực như điện tử công suất, thiết bị RF tần số cao và cảm biến cho môi trường chịu nhiệt độ cao nhờ đặc tính hóa lý tuyệt vời của nó. Tuy nhiên, hoạt động cắt lát trong quá trình xử lý wafer SiC gây ra các hư hỏng trên bề mặt, nếu không đượ......
Đọc thêm