Tăng trưởng wafer epiticular Gallium Nitride (GaN) là một quá trình phức tạp, thường sử dụng phương pháp hai bước. Phương pháp này bao gồm một số giai đoạn quan trọng, bao gồm nướng ở nhiệt độ cao, tăng trưởng lớp đệm, kết tinh lại và ủ. Bằng cách kiểm soát nhiệt độ một cách tỉ mỉ trong suốt các gia......
Đọc thêmCả tấm wafer epiticular và tấm khuếch tán đều là vật liệu thiết yếu trong sản xuất chất bán dẫn, nhưng chúng khác nhau đáng kể về quy trình chế tạo và ứng dụng mục tiêu. Bài viết này đi sâu vào sự khác biệt chính giữa các loại wafer này.
Đọc thêmTrong chuỗi công nghiệp cacbua silic (SiC), các nhà cung cấp chất nền nắm giữ đòn bẩy đáng kể, chủ yếu là do sự phân bổ giá trị. Chất nền SiC chiếm 47% tổng giá trị, tiếp theo là lớp epiticular ở mức 23%, trong khi thiết kế và sản xuất thiết bị chiếm 30% còn lại. Chuỗi giá trị đảo ngược này bắt nguồ......
Đọc thêmMOSFET SiC là các bóng bán dẫn có mật độ năng lượng cao, hiệu suất được cải thiện và tỷ lệ hỏng hóc thấp ở nhiệt độ cao. Những ưu điểm này của SiC MOSFET mang lại nhiều lợi ích cho xe điện (EV), bao gồm phạm vi lái xe dài hơn, sạc nhanh hơn và xe điện chạy pin (BEV) có chi phí thấp hơn. Trong 5 năm ......
Đọc thêm