> Tin tức

Tin tức

Biết MOCVD

MOCVD là một công nghệ tăng trưởng epiticular pha hơi mới được phát triển trên cơ sở tăng trưởng epiticular pha hơi (VPE).

Đọc thêm

Ứng dụng của linh kiện than chì phủ TaC

Trong quá trình nuôi cấy các tinh thể đơn SiC và AlN bằng phương pháp vận chuyển hơi vật lý (PVT), các bộ phận như nồi nấu kim loại, giá đỡ tinh thể mầm và vòng dẫn hướng đóng vai trò quan trọng. Trong quá trình chuẩn bị SiC, tinh thể hạt nằm ở vùng nhiệt độ tương đối thấp, trong khi nguyên liệu thô......

Đọc thêm

Quá trình cắt và mài nền

Vật liệu nền SiC là cốt lõi của chip SiC. Quy trình sản xuất chất nền là: sau khi thu được thỏi tinh thể SiC thông qua quá trình tăng trưởng đơn tinh thể; sau đó việc chuẩn bị chất nền SiC đòi hỏi phải làm mịn, làm tròn, cắt, mài (làm mỏng); đánh bóng cơ học, đánh bóng cơ học hóa học; và làm sạch, k......

Đọc thêm

Công ty công nghiệp hóa chất nền Gallium Oxide 6 inch đầu tiên

Gần đây, công ty chúng tôi thông báo rằng công ty đã phát triển thành công tinh thể đơn Gallium Oxide 6 inch bằng phương pháp đúc, trở thành công ty công nghiệp hóa trong nước đầu tiên làm chủ công nghệ chuẩn bị chất nền đơn tinh thể Gallium Oxide 6 inch.

Đọc thêm

Sự khác biệt giữa các tinh thể SiC có cấu trúc khác nhau

Cacbua silic (SiC) là vật liệu có độ ổn định nhiệt, vật lý và hóa học đặc biệt, thể hiện các đặc tính vượt xa các vật liệu thông thường. Độ dẫn nhiệt của nó đạt mức đáng kinh ngạc là 84W/(m·K), không chỉ cao hơn đồng mà còn gấp ba lần silicon. Điều này chứng tỏ tiềm năng to lớn của nó trong việc sử ......

Đọc thêm

Lớp phủ TaC trên than chì là gì?

Trong lĩnh vực sản xuất chất bán dẫn đang phát triển nhanh chóng, ngay cả những cải tiến nhỏ nhất cũng có thể tạo ra sự khác biệt lớn khi đạt được hiệu suất, độ bền và hiệu quả tối ưu. Một tiến bộ đang tạo ra nhiều tiếng vang trong ngành là việc sử dụng lớp phủ TaC (Tantalum Carbide) trên bề mặt tha......

Đọc thêm

<...16 17 18 19 20...30 >