> Tin tức

Tin tức

Về khuyết tật trong tinh thể SiC - Micropipe

Chất nền SiC có thể có các khuyết tật vi mô, chẳng hạn như Trật khớp vít ren (TSD), Trật khớp cạnh ren (TED), Trật khớp mặt phẳng cơ sở (BPD) và các khuyết tật khác. Những khiếm khuyết này là do sự sai lệch trong cách sắp xếp các nguyên tử ở cấp độ nguyên tử. Tinh thể SiC cũng có thể có các sai lệch......

Đọc thêm

Tại sao nên chọn phương pháp epitaxy pha lỏng?

So với phương pháp PVT, phương pháp pha lỏng để nuôi SiC có những ưu điểm sau:

Đọc thêm

Epitaxy pha lỏng là gì?

Phương pháp pha lỏng gần với điều kiện cân bằng nhiệt động hơn và có thể phát triển tinh thể SiC với chất lượng tốt hơn.

Đọc thêm

Lớp phủ TaC

Theo kết quả nghiên cứu, lớp phủ TaC có thể hoạt động như một lớp bảo vệ và cách ly để kéo dài tuổi thọ thành phần than chì, cải thiện tính đồng nhất nhiệt độ xuyên tâm, duy trì phép cân bằng hóa học thăng hoa SiC, ngăn chặn sự di chuyển tạp chất và giảm mức tiêu thụ năng lượng. Cuối cùng, bộ nồi nấ......

Đọc thêm

Quá trình CVD trong chất bán dẫn là gì?

CVD lắng đọng hơi hóa học đề cập đến việc đưa hai hoặc nhiều nguyên liệu khí thô vào buồng phản ứng trong điều kiện chân không và nhiệt độ cao, trong đó các nguyên liệu khí thô phản ứng với nhau để tạo thành vật liệu mới, được lắng đọng trên bề mặt wafer.

Đọc thêm

Tổng quan về phát triển ngành quang điện

By 2027, solar photovoltaic (PV) will overtake coal as the world's largest installed capacity. The cumulative installed capacity of solar PV nearly triples in our forecast, growing by nearly 1,500 gigawatts over this period, and will surpass natural gas by 2026 and coal by 2027.

Đọc thêm

<...31 32 33 34 35...37 >