Lò phản ứng lò bán dẫn

Lò phản ứng lò bán dẫn là thiết bị cốt lõi trong quy trình sản xuất chất bán dẫn, chủ yếu được sử dụng cho các quy trình quan trọng như oxy hóa nhiệt, khuếch tán, ủ và lắng đọng hơi hóa học. Một hệ thống lò điển hình (Lò khuếch tán ngang/dọc) chủ yếu bao gồm các thành phần cốt lõi sau: hệ thống gia nhiệt, hệ thống kiểm soát nhiệt độ, hệ thống vận chuyển, hệ thống kiểm soát dòng khí (MFC) và hệ thống xả khí thải.

Từ góc độ kiến ​​trúc tổng thể, lò nhiệt độ cao được chia thành loại ngang và loại dọc, được xác định bởi vị trí của ống thạch anh và các bộ phận gia nhiệt trong hệ thống. Lò nhiệt độ cao thường bao gồm năm thành phần cơ bản: hệ thống điều khiển, ống lò xử lý, hệ thống phân phối khí, hệ thống xả khí và hệ thống nạp. Hệ thống điều khiển bao gồm một máy tính được kết nối với một số bộ vi điều khiển, chịu trách nhiệm kiểm soát chính xác toàn bộ quá trình.

Về lựa chọn vật liệu, vật liệu ống lò chủ yếu bao gồmthạch anh(nhiệt độ cao và chống ăn mòn),nhôm (Al₂O₃), cacbua silic (SiC)hoặc hợp kim kim loại (chẳng hạn như Inconel). Các bộ phận làm nóng của hệ thống sưởi thường sử dụng dây điện trở (chẳng hạn như Kanthal, MoSi₂), thanh silicon cacbua (SiC) hoặc lò sưởi hồng ngoại. Vùng sưởi ấm có thể được thiết kế thành vùng nhiệt độ đơn hoặc vùng nhiều nhiệt độ để đạt được khả năng kiểm soát nhiệt độ chính xác. Hệ thống kiểm soát nhiệt độ sử dụng cặp nhiệt điện (loại K, loại S) để theo dõi nhiệt độ theo thời gian thực, đạt độ chính xác kiểm soát nhiệt độ ± 1oC thông qua bộ điều khiển PID hoặc sử dụng điều khiển nhiệt độ lập trình PLC.

Phạm vi thông số quy trình và vật liệu áp dụng

Phạm vi tham số nhiệt độ: Phạm vi nhiệt độ thay đổi tùy theo quy trình. Phạm vi nhiệt độ xử lý của lò sưởi tiêu chuẩn là 300-1100oC và lò nhiệt độ thấp là 250-500oC. Nhiệt độ quy trình điển hình là 400-1100oC, với các quá trình oxy hóa và khuếch tán thường ở 800-1100oC, các quá trình LPCVD ở 500-800oC và các quá trình ủ ở 400-500oC.

Trong quá trình tăng trưởng epiticular, các tấm silicon được nung nóng trong lò epitaxy ở nhiệt độ khoảng 1200°C. Silicon tetrachloride bay hơi (SiCl₄) và trichlorosilane (SiHCl₃) được thêm vào lò để tạo ra sự tăng trưởng epiticular trên bề mặt wafer.

Quá trình oxy hóa nhiệt được sử dụng rộng rãi nhất bao gồm quy trình được thực hiện ở nhiệt độ cao 800-1200°C để tạo thành một lớp silicon dioxide mỏng, đồng nhất. Quá trình oxy hóa nhiệt có thể ướt hoặc khô, tùy thuộc vào loại khí được sử dụng cho phản ứng oxy hóa.

Hệ thống vật liệu có thể áp dụng: Quy trình ống lò phù hợp với nhiều loại vật liệu bán dẫn, bao gồm silicon (Si), silicon germanium (SiGe) và thạch anh. Trong các quy trình SiGe, phương pháp CVD là quy trình chủ đạo. Bằng cách làm nóng chất nền silicon và đưa vào hỗn hợp khí SiH₄ và GeH₄, lớp silicon germanium bị phân hủy và lắng đọng ở nhiệt độ cao (500-800°C), đòi hỏi phải kiểm soát chính xác nồng độ pha tạp germanium và độ dày lớp epiticular.

Semicorex cung cấp các bộ phận lò tùy chỉnh chất lượng cao. Sản phẩm của chúng tôi được thiết kế để mang lại độ ổn định nhiệt vượt trội, tuổi thọ kéo dài và tính nhất quán của quy trình đặc biệt. Để biết các giải pháp tùy chỉnh hoặc thông tin kỹ thuật bổ sung, vui lòng liên hệ với nhóm kỹ thuật của chúng tôi.

Điện thoại: +86-13567891907

Email: sales@semicorex.com