Chất mang wafer Graphite phủ SiC

Các chất mang wafer than chì được phủ Semicorex SiC, các thành phần mang wafer hiệu suất cao, được thiết kế để tăng trưởng epiticular wafer trong thiết bị lắng đọng hơi hóa học hữu cơ kim loại tiên tiến. Hợp tác với Semicorex, bạn sẽ được hưởng hiệu suất ổn định, giá cả cạnh tranh và dịch vụ chu đáo.

Gửi yêu cầu

Mô tả Sản phẩm

Trong chế tạo wafer bán dẫn, một lớp epticular cần được phát triển trên đế wafer để có thể sản xuất các thiết bị bán dẫn ở các bước tiếp theo. Là thành phần tiêu hao không thể thiếu trong quy trình epiticular wafer tiếp xúc trực tiếp với chất nền wafer, hiệu suất của chất mang wafer than chì phủ SiC có tác động đáng kể đến tính đồng nhất và độ tinh khiết của sự phát triển vật liệu epiticular. Vì lý do này, điều quan trọng đối với người dùng là chọn chất mang wafer than chì được phủ SiC tối ưu.

Sử dụng than chì có độ tinh khiết cao để sản xuất đế của các tấm bán dẫn và sử dụng đồng phụcLớp phủ CVD SiCĐể mang đến cho chất mang wafer "áo giáp bảo vệ", Semicorex tận tâm cung cấp chất mang wafer than chì phủ SiC chất lượng cao có khả năng cung cấp hỗ trợ cấu trúc đáng tin cậy cho chất nền wafer trong các quy trình epiticular đầy thử thách, từ đó đảm bảo sự phát triển ổn định và đáng tin cậy của vật liệu epiticular.

1. Đế than chì cao cấp

A. Đế than chì có độ dẫn nhiệt vượt trội, cho phép phân phối nhiệt nhanh và đều trong quá trình epiticular.

B. Với hệ số giãn nở nhiệt tương đối thấp, đế than chì có thể đảm bảoChất mang wafer than chì phủ SiCchịu được chu kỳ nhiệt thường xuyên mà không dễ bị biến dạng.

C. Vật liệu than chì có độ bền cơ học tuyệt vời, do đó, các vật liệu mang wafer than chì được phủ SiC của chúng tôi có thể hỗ trợ một cách an toàn các chất nền wafer trong các ứng dụng epit Wax lâu dài.

2. Lớp phủ CVD SiC đáng tin cậy

A. Độ sạch cực cao

Độ tinh khiết của lớp phủ CVD SiC có thể đạt tới mức ppb, giúp giảm thiểu ô nhiễm giữa chất mang bán dẫn và chất nền bán dẫn, do đó đáp ứng đầy đủ các yêu cầu nghiêm ngặt về độ sạch của ngành bán dẫn.

B. Bảo vệ đáng tin cậy

Lớp phủ CVD SiC có cấu trúc dày đặc và có thể cách ly hoàn toàn nền than chì khỏi môi trường nhiệt độ cao và ăn mòn cao, đồng thời ức chế hiệu quả sự ăn mòn hóa học và quá trình oxy hóa của nền than chì, do đó đảm bảo hoạt động đáng tin cậy của chất mang wafer than chì phủ SiC của chúng tôi trong dịch vụ lâu dài.

C. Độ bền liên kết mạnh

Lớp phủ CVD SiC mang lại khả năng dẫn nhiệt vượt trội và độ giãn nở nhiệt tương tự như nền than chì. Nó thể hiện độ bền liên kết mạnh mẽ với nền than chì và ít bị nứt hoặc bong tróc ngay cả khi nhiệt độ thay đổi mạnh.